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CVD碳化硅襯底單層石墨烯/CVD SiC襯底單層石墨烯

2019/08/15

  詳細內容

欧美激情小说  通常,石墨烯大多是在金屬表面上用CVD技術生長的,在微電子或電子器件的應用中不得不將其從導電的金屬上用化學方法剝離,將其置于分離的襯底上再應用。這在器件的制備上存在很大的局限性,而在半絕緣(高阻)SiC襯底上生長的石墨烯可以直接用來制備電子器件,如高頻電子器件、光電子器件及量子器件等,尤其是在SiC襯底上用CVD技術生長的石墨烯與CMOS工藝兼容,因而無需進行襯底轉移,即可應用于電子器件研制。

4H6HSiC襯底上生長單層/雙層和三層石墨烯
晶型
晶體性質
石墨烯生長面
石墨烯
4H-SiC
半絕緣型
4H-SiC的Si面
4H-SiC的C面
P型或N型
4H-SiC
導電型
4H-SiC的Si面
4H-SiC的C面
6H-SiC
半絕緣型
6H-SiC的Si面
6H-SiC的C面
P型或N型
6H-SiC
導電型
6H-SiC的Si面
6H-SiC的C面
標準尺寸
10mmx10mm,15mmx15mm,2英寸x 2英寸,4英寸x 4英寸
標準尺寸
φ2英寸,φ3英寸,φ4英寸,φ5英寸,φ6英寸
定制尺寸
根據客戶要求

  描述:

  ● 生長方法:CVD生長

欧美激情小说  ● 覆蓋率:100%

欧美激情小说  ● 石墨烯層數:1層,2層,3層

  ● 單層厚度:0.345 nm

  ● 載流子密度:N型5x1011-1.5x1013cm-2,P型1x1013-1.5x1013cm-2

欧美激情小说  ● N型遷移率:3000 cm2/Vs

  ● P型遷移率:可達6500乃至8000 cm2/Vs(溫度:300K)

  應用

  ● 高頻電子器件

  ● 光電子器件

  ● 量子器件

  ● 自旋電子學

  ● 光電探測器

  ● 新碳電子學

  ● 石墨烯半導體芯片

欧美激情小说  ● 石墨烯計算機存儲器

  ● 生物技術

  ● 生物傳感器

  ● 氣體傳感器

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