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Ga2O3 (010)面生長的(AlxGa1-x)2O3外延片

2019/08/15

  詳細內容

  氧化鎵是新一代功率半導體和深紫外光電子半導體材料,其禁帶寬度為4.9eV,遠遠大于氮化鎵(3.3eV)、碳化硅(3.4eV)和硅(1.1eV)的禁帶寬度。在功率半導體方面,氧化鎵的擊穿電場強度是硅的20多倍,是碳化硅和氮化家的2倍多,氧化鎵的擊穿電場強度可達8MV/cm。由于氧化鎵在諸多領域的重要應用價值,氧化鎵材料和器件的研究與應用,已成為當前研究與開發的熱點和重點。為此,我們提供(AlxGa1-x)2O3外延片和相應的的Ga2O3單晶襯底。

主要參數指標

外延層

參數指標


Al摩爾分數

x0.23


摻雜劑

Si (n-)


摻雜濃度

1x1018 cm-3


外延層厚度

60 nm


外延片襯底

參數指標

摻雜劑

Sn (n-)

Fe(半絕緣)

摻雜濃度

1~9x1018 cm-3

-

電阻率

-

1010 Ωcm

晶面

(010)

尺寸

10x15 mm2

厚度

0.5 mm

XRD FWHM

150 arcsec

偏離角度

0°±1°


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